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《北京力学会第26届学术年会论文集》2020年
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孔隙率对烧结纳米银传热性能影响研究

胡元坤  代岩伟  秦飞  
【摘要】:烧结纳米银是最有希望用于第三代半导体碳化硅(SiC)器件中芯片互联的焊料。它具有多孔的微结构,会对器件的传热性能产生一定的影响。本文以烧结纳米银为研究对象,通过数值模拟对不同孔隙率烧结纳米银的传热性能进行研究。
【作者单位】:北京工业大学机电学院
【分类号】:TB383.1;TN386

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